时间：2025/8/14 2:10:30
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LRC099MC-04AT1G是一款由LRC（乐山无线电）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOS技术，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适合高效率电源转换系统。LRC099MC-04AT1G采用TO-252封装，适用于表面贴装，便于在PCB上安装。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤4.4mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252
LRC099MC-04AT1G具备多项优异的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该MOSFET的最大漏极电流为100A，能够在高负载条件下提供稳定的电流传输能力。其次，其最大漏源电压为40V，适用于常见的低压电源系统，例如48V DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统。
该器件的导通电阻RDS(on)最大为4.4mΩ，当栅源电压为10V时，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，LRC099MC-04AT1G的栅源电压范围为±20V，允许使用较高的驱动电压以确保快速开关，同时具备较强的抗过压能力。
在热管理方面，LRC099MC-04AT1G采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在高功率耗散下保持较低的工作温度。其最大功率耗散为100W，适用于需要高功率密度的设计。此外，器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-252，适合表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了装配效率。由于其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，LRC099MC-04AT1G常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
LRC099MC-04AT1G广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制设备。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换系统中的理想选择。
SiS430DN, IRF1010E, FDS6680, NTD4858N
