时间：2025/8/1 15:14:50
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CS4N70FA9R是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于各类工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大漏极电流(Id)：4A（连续）
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω（最大3.5Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大耗散功率(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
CS4N70FA9R具有多个优异的电气和物理特性，包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（700V）使其适用于高电压输入环境，如工业电源和AC-DC适配器。该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，CS4N70FA9R的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，延长使用寿命。其高可靠性和抗冲击能力使其在恶劣环境中也能正常工作。
CS4N70FA9R广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理系统(BMS)、电机控制电路、逆变器以及各类工业自动化设备。此外，该MOSFET也可用于家电控制电路、电动车充电器和光伏逆变系统等高要求应用场景。
STP4NK70ZFP、FQP4N70、IRF740、FQA4N70、SiHP04NQ07TG
