时间：2025/5/30 10:20:46
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SUD50P04-09L-E3 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件具有极低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于需要高效能、高可靠性及紧凑设计的应用场景。
这款功率 MOSFET 专为汽车级应用而设计，符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的稳定运行。其主要功能是通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态，从而实现对负载电流的开关或调节。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.9mΩ
栅极电荷：66nC
反向恢复时间：28ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TOLL
SUD50P04-09L-E3 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 50A 的连续漏极电流。
3. 超低栅极电荷和快速开关速度，减少开关损耗。
4. 符合汽车电子标准 AEC-Q101，具备优异的可靠性和耐久性。
5. 紧凑型 TOLL 封装，有助于简化 PCB 设计并节省空间。
6. 宽广的工作温度范围，适应极端环境条件。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
2. DC-DC 转换器和电源管理模块。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. 工业设备中的大电流开关。
5. LED 驱动器和其他高效率功率转换应用。
SUD50P04-09L-E3 的高效率和高可靠性使其成为众多高要求应用的理想选择。
SUD50P04-09L-E2
