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SUD50P04-09L-E3 发布时间 时间:2025/5/30 10:20:46 查看 阅读:7

SUD50P04-09L-E3 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。该器件具有极低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于需要高效能、高可靠性及紧凑设计的应用场景。
  这款功率 MOSFET 专为汽车级应用而设计,符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛环境下的稳定运行。其主要功能是通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态,从而实现对负载电流的开关或调节。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):0.9mΩ
  栅极电荷:66nC
  反向恢复时间:28ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TOLL

特性

SUD50P04-09L-E3 的关键特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 50A 的连续漏极电流。
  3. 超低栅极电荷和快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 符合汽车电子标准 AEC-Q101,具备优异的可靠性和耐久性。
  5. 紧凑型 TOLL 封装,有助于简化 PCB 设计并节省空间。
  6. 宽广的工作温度范围,适应极端环境条件。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
  2. DC-DC 转换器和电源管理模块。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  4. 工业设备中的大电流开关。
  5. LED 驱动器和其他高效率功率转换应用。
  SUD50P04-09L-E3 的高效率和高可靠性使其成为众多高要求应用的理想选择。

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SUD50P04-09L-E3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.4 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4800pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)