晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极-基极电压（VCB0）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大功耗（PD）：100mW
　　截止频率（fT）：250MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：80至600（根据电流和温度条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-523

LRB751CS-40T1G的主要特性之一是其高频性能。该晶体管具有高达250MHz的截止频率（fT），使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。此外，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，根据工作电流的不同，可以在80至600之间变化，这使得它能够适应多种电路设计需求。
　　该晶体管的另一个重要特性是其低饱和电压（VCE(sat)），这有助于减少功率损耗并提高电路效率。同时，其紧凑的SOT-523封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB布局中使用。此外，该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子设备设计。
　　由于其良好的高频响应和快速开关特性，LRB751CS-40T1G常用于通信设备、射频模块、音频放大器、逻辑接口电路以及各种便携式电子产品中。

LRB751CS-40T1G的应用领域广泛，尤其是在需要高频响应和高速开关特性的电路中。常见的应用包括射频放大器、振荡器、混频器和调制解调器等射频电路。此外，它还可用于高速开关电路，如数字逻辑电路中的驱动器和缓冲器。
　　在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的放大和处理，确保信号传输的稳定性和可靠性。在音频放大器中，它可以作为前置放大器或驱动级放大器，提供较高的增益和较低的失真。此外，LRB751CS-40T1G还常用于电源管理电路中的开关控制，以及在传感器接口电路中作为信号放大元件。
　　该晶体管也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备等，用于射频信号处理和高速数据传输电路。由于其小型化封装和高性能特性，特别适合用于空间受限的便携式设备。

BC847系列, 2N3904, BFQ19