产品类型：双通道肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA（@8.3ms, 半波）
　　最大正向电流（IF）：300mA（连续）
　　正向电压降（VF）：典型值0.36V @ 100mA, 最大值0.5V @ 300mA
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 25°C, VR=40V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-3（塑料小型晶体管封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　引脚数：3
　　焊接温度（PW）：260°C（最大，10秒）
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns（典型）
　　热阻（RθJA）：约350°C/W（PCB板上）

CMR2U-04TR13的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，这种金属-半导体结结构显著降低了传统PN结二极管的正向压降，从而减少了功率损耗并提高了整体系统的能效。在轻载或中等负载条件下，该器件的正向压降可低至0.36V左右，相较于硅基二极管普遍存在的0.7V以上压降，节能效果明显，特别适用于电池供电设备和低功耗设计领域。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间小于5纳秒，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用如DC-DC升压/降压转换器、同步整流辅助电路以及开关电源中的续流路径中表现优异，有效抑制了因慢速恢复引起的电磁干扰（EMI）问题，并提升了转换效率。
　　CMR2U-04TR13采用SOT-23-3小尺寸封装，在保证足够散热能力的同时大幅节省印刷电路板（PCB）布局空间，非常适合高密度集成设计需求，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网模块等紧凑型电子产品。
　　其双共阴极拓扑结构允许用户将两个阳极端口分别连接不同输入源，而共享一个接地回路，常用于双路电源选择、OR-ing电路或防倒灌保护设计中。此外，由于其较低的结电容与寄生参数，该器件也适用于高速数字信号线路的瞬态电压抑制与钳位保护，防止过冲或负向偏移对敏感逻辑电路造成损伤。
　　该产品经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保在严苛环境下的长期稳定运行。同时支持无铅回流焊工艺，兼容JEDEC标准的焊接规范，便于现代自动化产线集成。

CMR2U-04TR13广泛应用于多种消费类电子、工业控制和通信设备中。典型应用场景包括便携式设备中的电池充电管理电路，作为防止电池反向放电或外部电源与电池之间的隔离二极管；在DC-DC转换器中用作续流二极管或输出整流元件，尤其适用于低电压输出（如3.3V、1.8V）系统以减少传导损耗。
　　该器件还常见于USB供电路径管理、LDO稳压器前级保护、多电源冗余切换电路（Power OR-ing）中，利用其低VF特性实现高效电源路由选择。在信号调理电路中，可用于音频或数据线的直流阻断与钳位，避免信号超出安全输入范围。
　　此外，在微控制器单元（MCU）、FPGA或传感器接口电路中，CMR2U-04TR13可提供I/O端口的静电放电（ESD）防护与电压箝制功能，提升系统抗扰度。其快速响应能力也使其适用于高频脉冲检测、包络检波等模拟信号处理任务。
　　在LED驱动电路中，它可作为防止电流倒流的保护元件，延长LED使用寿命。由于其小型封装和高可靠性，也被广泛用于汽车电子中的非动力域模块，如车载信息娱乐系统、仪表盘显示驱动和车身控制单元等环境温度变化较大的场合。

[
　　 "MBR2U40T1G",
　　 "SMS2U40",
　　 "BAS29W-7-F",
　　 "PMBS29",
　　 "DMG2U40SS"
　　]