LRB715WT1G 时间：2025/8/13 23:57:10 阅读：20

LRB715WT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点。其封装形式为 SOT-223，适合表面贴装，具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V 时最大 15mΩ，@Vgs=2.5V 时最大 20mΩ
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-223

特性

LRB715WT1G 具有多个显著的技术特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频开关应用。该器件在 Vgs=4.5V 时 Rds(on) 最大为 15mΩ，而在更低的栅极电压（如 2.5V）下也能保持较低的导通电阻，这使其适用于低电压控制电路，例如由 DSP 或 FPGA 驱动的应用。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 5A 的连续漏极电流，适用于中等功率的电源转换和管理应用。其 20V 的漏源电压额定值使其在 12V 和 5V 系统中具有良好的安全裕度，适用于服务器、台式机、笔记本电脑等设备中的电源设计。
　　此外，该器件采用了 SOT-223 封装，具有良好的散热性能，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。其热阻（RθJA）较低，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度，从而提升系统的可靠性和寿命。
　　LRB715WT1G 还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其栅极氧化层设计能够承受 ±12V 的栅源电压，提供较高的驱动灵活性，同时避免因栅极过压导致的损坏。

应用

LRB715WT1G 主要应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见用途包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理 IC（PMIC）的外围开关元件，以及服务器和台式机的电源模块。由于其低导通电阻和高效率特性，它也适用于节能型电源设计，如绿色电源、节能适配器和高效能主板供电电路。此外，该器件还广泛用于工业控制设备、汽车电子系统以及便携式电子设备中的功率管理部分。