晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

LRB551V-30T1G晶体管具备良好的电气性能和稳定性，适合多种应用场景。其高过渡频率（fT）达到100 MHz，使其适用于高频放大电路。此外，该晶体管的直流电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，能够满足不同电路设计对放大倍数的需求。该器件的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够在中等功率条件下稳定工作。
　　这款晶体管采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于在紧凑的电路板上安装和使用。其最大功耗为200 mW，能够在标准工作条件下保持良好的散热性能。工作温度范围从-55°C到150°C，适用于多种环境条件下的应用，具有良好的耐温性能。
　　LRB551V-30T1G的设计和制造符合行业标准，确保在长期使用中具备高可靠性和稳定性。该晶体管常用于电源管理、信号放大、开关控制等电路中，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

LRB551V-30T1G晶体管常用于开关电路、放大电路以及电源管理电路中。它适合用于音频放大器、逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动以及各种低功耗电子设备的控制电路。此外，该晶体管也可用于传感器接口电路、数据采集系统和工业自动化设备。

2N3904, BC547, PN2222