LRB521S30T1G 时间：2025/8/13 19:45:02 阅读：11

LRB521S30T1G 是一个双通道肖特基二极管阵列，适用于需要高效能和小型封装的应用。该器件采用先进的硅技术，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，使其非常适合高频开关应用。LRB521S30T1G 通常用于电源管理、电池充电、负载开关以及信号隔离等场景。该组件采用SOT-23-3封装，确保了在有限空间中的应用灵活性。

参数

类型：双通道肖特基二极管
　　最大正向电流：100mA（每个二极管）
　　峰值反向电压：30V
　　正向电压（典型值）：0.35V @ 10mA
　　反向漏电流（最大值）：100nA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-3

特性

LRB521S30T1G 的主要特性之一是其低正向电压降，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在高频应用中，这一点尤为重要，因为它可以显著降低导通损耗。
　　此外，该器件具有快速恢复时间，通常小于10ns，使其适用于高速开关电路，避免了因恢复时间过长而引起的能量损耗和噪声。
　　每个二极管的最大正向电流为100mA，足以满足许多低功率应用的需求。同时，其峰值反向电压为30V，使其能够在相对较高的电压环境下稳定工作。
　　LRB521S30T1G 的设计使其在高温环境下仍能保持良好的稳定性，工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件。
　　采用SOT-23-3封装，该器件在PCB上的占用空间非常小，适合空间受限的设计，如便携式电子设备和高密度电路板布局。
　　反向漏电流非常低，典型值为100nA，这有助于减少不必要的漏电流，从而提高整体电路的可靠性。

应用

LRB521S30T1G 广泛应用于多个领域，包括电源管理和电池充电电路。在这些应用中，该器件可以有效地隔离不同的电源域，防止电流反向流动并保护电路。
　　由于其低正向电压降和快速恢复时间，LRB521S30T1G 非常适合用于DC-DC转换器、负载开关以及信号隔离电路。在这些高频应用中，该器件能够显著提高效率并减少发热。
　　此外，该器件还可用于保护电路中的敏感元件，例如防止反向极性损坏微控制器或其他低电压元件。在消费电子、汽车电子和工业控制系统中，这种保护功能至关重要。
　　在无线通信设备中，LRB521S30T1G 也可用于射频信号路径中的隔离，确保信号传输的稳定性和完整性。