时间：2025/12/27 8:59:37
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LR9102G-18-AF5-R是一款由LRC（乐山无线电）生产的双极性晶体管（BJT），属于NPN型射频功率晶体管，广泛应用于射频放大器和高频信号处理电路中。该器件采用先进的平面外延技术制造，具有优良的高频特性和热稳定性，适用于在VHF/UHF频段工作的无线通信设备。LR9102G-18-AF5-R封装形式为SOT-89，具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。该晶体管在设计上优化了增益、噪声系数和输出功率之间的平衡，使其在低电压供电条件下仍能保持较高的效率和线性度，是现代射频前端模块中的关键元器件之一。其命名中的“LR”代表制造商LRC，“9102”为产品系列号，“G”可能表示材料或工艺类型，“18”通常指代增益分档或特定性能等级，“AF5”可能是频率/应用标识，“R”表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
类型：NPN
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：18V
集电极-基极击穿电压（VCBO）：20V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：2.5V
最大集电极电流（IC）：750mA
最大功耗（Ptot）：1W
直流电流增益（hFE）：60 - 240 @ IC = 150mA
特征频率（fT）：250MHz
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-89
LR9102G-18-AF5-R具备优异的高频放大能力，其特征频率高达250MHz，在VHF和UHF频段表现出稳定的增益响应，适用于FM收音机、对讲机、无线麦克风、遥控系统及小型发射模块等应用场合。该晶体管在低电源电压（如5V或更低）下仍能维持较高的输出功率与效率，特别适合电池供电的便携式设备使用。其NPN结构提供了良好的线性放大特性，有助于减少信号失真，提高通信质量。器件采用硅半导体材料制成，结合平面外延工艺，确保了批次间参数的一致性和长期可靠性。
在热管理方面，SOT-89封装不仅体积小巧，还具备中心散热片设计，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB地层，从而提升整体散热效率，避免因温升导致性能下降或损坏。此外，该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并延长设备续航时间。其直流电流增益范围为60至240，在典型工作电流150mA时表现稳定，便于电路设计者进行偏置网络设计以实现最佳工作点设置。
LR9102G-18-AF5-R还具备较强的抗静电能力和环境适应性，可在-55℃到+150℃的宽温度范围内可靠运行，满足工业级和部分军用级应用需求。由于其高度集成化和标准化封装，该晶体管可直接用于表面贴装生产线，支持回流焊工艺，提升了生产自动化水平和装配效率。综合来看，这款器件在性能、成本与可用性之间实现了良好平衡，是中小功率射频放大应用的理想选择之一。
广泛用于便携式无线通信设备中的射频前置放大器和驱动放大器，例如FM广播接收机、UHF/VHF对讲机、无线遥控器、智能家居控制模块、无线传感器网络节点以及小型数据传输模块等。此外，也可用于电视调谐器、CATV信号放大器、无线音频传输系统和RFID读写器中的信号放大单元。由于其良好的线性度和低噪声特性，也适合用于需要高保真信号放大的模拟射频电路中。
MMBT918, 2SC3356, BFR92A
