型号：K4B2G1646F-BCMA000
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：2Gb (256MB)
　　组织结构：16M x 16 x 8 banks
　　电压：1.5V ±0.075V
　　数据宽度：16位
　　封装类型：96-ball FBGA (6mm x 11.5mm)
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　最大频率：800MHz (PC3-12800)
　　数据速率：1600 Mbps (DDR)
　　引脚数量：96
　　刷新模式：自动/自刷新
　　时序参数：CL9-CL11 可配置
　　支持功能：ZQ校准, TCSR, Partial Array Self-Refresh

K4B2G1646F-BCMA000 具备多项先进特性，使其在 DDR3 内存市场中具有较高的竞争力。首先，它采用了多银行并发架构，包含八个独立的内存银行，允许交替访问不同的银行以实现更高的有效带宽和更低的访问延迟。这种架构特别适用于需要频繁随机访问的应用场景，如操作系统运行、多任务处理和视频解码等。其次，该芯片支持可编程潜伏期（CAS Latency），典型值为 CL9 到 CL11，用户可根据系统时钟频率和稳定性要求进行调整，从而在性能与可靠性之间取得平衡。此外，器件内置 ZQ 校准功能，通过外部参考电阻实现输出驱动阻抗和输入终端电阻的动态校正，确保在不同温度和电压条件下维持信号完整性，减少反射和串扰问题。
　　另一个重要特性是温度补偿自刷新（TCSR）技术，该功能可根据芯片内部温度传感器监测的结果动态调整自刷新周期，避免高温下因电荷泄漏加快而导致的数据丢失，同时在低温环境下减少不必要的刷新操作以节省功耗。这对于长时间待机或电池供电设备尤为重要。此外，K4B2G1646F 支持部分阵列自刷新（PASR），允许仅对正在使用的内存区域执行刷新操作，进一步降低能耗。该芯片还集成了写入电平训练（Write Leveling）和读取/写入均衡支持，便于在高频系统中实现精确的时序对齐，提高整体系统的稳定性与兼容性。最后，其 FBGA 封装具有优良的热传导性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产和回流焊工艺，确保大批量制造的一致性和良品率。

K4B2G1646F-BCMA000 广泛应用于多种需要高性能、低功耗内存解决方案的电子系统中。最常见的用途是在台式计算机和笔记本电脑中作为主系统内存模块（如 UDIMM 或 SO-DIMM）的核心组件之一，尤其是在早期 DDR3 普及时期被大量采用。由于其 16 位数据宽度的设计，该芯片也常用于构建双芯片堆叠（PoP, Package-on-Package）结构，常见于智能手机和平板电脑中的应用处理器下方，与处理器直接堆叠以缩短走线长度，提升内存带宽并减小主板面积。此外，该芯片也被广泛应用于图形处理单元（GPU）中，作为显存使用，支持高分辨率图像渲染和视频播放。
　　在网络通信设备领域，如路由器、交换机和家庭网关中，K4B2G1646F 提供足够的缓冲存储空间以处理高速数据包转发任务。工业控制和嵌入式系统同样受益于其稳定的性能和宽温工作能力，可用于工控机、医疗设备、POS 终端和智能监控系统。在消费类电子产品方面，包括智能电视、数字机顶盒和游戏主机，该内存芯片能够支持复杂的多媒体处理流程，保障流畅的用户体验。此外，由于其标准化接口和良好的兼容性，K4B2G1646F 还常被用于开发板和评估套件中，供工程师进行系统验证和软件调试。随着 DDR4 和 LPDDR4 的普及，虽然该型号已逐步退出主流市场，但在维修替换、库存项目和特定工业应用中仍具实用价值。

K4B2G1646F-BYMA
　　K4B2G1646E-BCMA
　　MT4JVF25664HA-1G6
　　KVR16S11/8