类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.6mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LR8555-36PRA 的核心优势在于其超低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了载流能力和热稳定性。该器件在高温环境下依然能保持稳定的性能，适用于需要高可靠性的电源系统。此外，LR8555-36PRA 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。其引脚排列符合标准 MOSFET 封装规范，便于替换和兼容其他类似器件。LR8555-36PRA 在设计上优化了栅极驱动特性，使其在高频开关应用中表现优异，适用于现代电源管理系统中的 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路。
　　在保护特性方面，LR8555-36PRA 内置了过热保护和过流保护机制，确保在极端工作条件下仍能保持器件的安全运行。其栅极氧化层具有良好的抗静电能力，增强了器件的稳定性和可靠性。

LR8555-36PRA 广泛应用于各种电源管理系统中，包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源分配系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。此外，该器件也常用于服务器电源、工业控制设备、电动工具、电动车控制器等高功率应用领域。

SiR8555-36PRA, IRF1324S-7PPBF, IPD90N30N3G