2SK3684-01S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。该器件具有低导通电阻、高速开关性能以及良好的热稳定性,适合在高效率和高功率密度的设计中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOP(表面贴装)或TO-252(DPak)
导通电阻(Rds(on)):约3.5mΩ(典型值,具体取决于测试条件)
栅极电荷(Qg):约70nC
输入电容(Ciss):约2200pF
开关时间(ton/off):约20ns/25ns
2SK3684-01S 是一款高性能的N沟道MOSFET,其核心特性之一是极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。该器件的封装设计适用于表面贴装工艺,便于自动化生产,并具备良好的散热性能。由于采用了先进的沟槽式(Trench)工艺技术,该MOSFET在高频开关应用中表现出色,具有较低的开关损耗和较高的稳定性。
此外,该MOSFET具备较高的栅极电压耐受能力(±20V),使其在使用过程中更不容易因过电压而损坏。其较高的连续漏极电流容量(120A)使其适用于高功率应用场景,例如电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等。
器件的热阻较低,能够在较高的工作温度下稳定运行,适应恶劣的工作环境。同时,其快速的开关时间(ton/off)有助于提升系统的响应速度和整体效率,适用于要求高性能和高可靠性的应用场合。
2SK3684-01S 常用于以下类型的电路和系统中:
1. 开关电源(SMPS):用于高效能的AC-DC和DC-DC转换器中,作为主开关器件,实现高效率的能量转换。
2. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化设备和机器人控制系统中的H桥驱动电路,提供高电流输出和低导通损耗。
3. 负载开关:用于电池管理系统、电源分配系统和热插拔设备中,实现对负载的快速控制和隔离。
4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,支持高效的能量转换和稳定的系统运行。
5. 车载电子系统:如车载充电器、电动车辆的电机控制系统等,满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。
2SK3684-01S的替代型号包括:SiS6210ADN、IRF120N30DPBF、FDMS86101、IPD90N30C3、TKA120N30K3