时间：2025/7/26 6:03:08
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LR645N3-G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更低的导通电阻和更高的效率，适用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vdss)：30V
最大栅极电压(Vgss)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：1900pF
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-220
LR645N3-G具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗并提高了系统效率。其采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了优异的热稳定性和可靠性。
此外，该器件的高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，降低了开关损耗并提高了响应速度。TO-220封装提供了良好的散热能力，能够承受较高的工作温度，并确保长时间运行的稳定性。
该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发的高电压或高电流条件下保持稳定工作，防止器件损坏。这使得LR645N3-G在工业电源、电池管理系统、电动工具和汽车电子等高要求的应用中表现出色。
LR645N3-G广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池充电器以及各类高功率电子设备中。
SiR340DP-T1-GE3, FDS6680, IRF3710, NTD64N03R
