类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤7.5mΩ（当Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：130W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220AB
　　晶体管极性：N沟道

LR5213B12F 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力，使其在高频开关应用中表现出色。采用沟槽式技术，该器件能够在较低的栅极电压下实现高效的导通状态，从而降低开关损耗并提高整体系统效率。此外，其 TO-220AB 封装形式具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
　　这款 MOSFET 还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在极端负载条件下提供更可靠的性能。同时，其栅极设计具有较高的抗静电能力（ESD），可有效防止因静电放电造成的损坏，提升器件的稳定性和寿命。
　　LR5213B12F 在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的优化，使其适用于多种高频电源变换器，如同步整流电路、PWM 控制电路等。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

LR5213B12F 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于以下领域：DC-DC 升压/降压转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、电源适配器、服务器电源、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高效率电源模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该 MOSFET 特别适合用于高密度、高效率的电源转换设计中。

SiHF18N120(IXYS), FDP18N120(Fairchild), IRF18N120(Irms), STP18NF12(Siemens)