时间：2025/8/29 21:09:08
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LR38888A是一款由LRC（乐山无线电）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及负载开关等场景。LR38888A采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：≤5.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
LR38888A具有低导通电阻、高电流容量和快速开关特性，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其优化的栅极设计降低了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体的热性能和稳定性。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。TO-252封装有助于良好的散热性能，适用于高功率密度应用。
该器件还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合用于各种工业级和消费级电源应用。其结构设计确保了在高温环境下依然能保持稳定的工作状态，适用于长时间运行的设备。
LR38888A适用于多种电源管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统、电源适配器以及各类高功率密度电源模块。由于其高电流和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能和低损耗的电源系统设计中。
IRF1405, Si4410DY, IPD180P03P4-03
