LR25D40SDG 时间：2025/8/13 14:57:42 阅读：4

LR25D40SDG 是一颗由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高效率功率转换应用。该器件采用小型表面贴装封装（DFN2525-8），具备良好的热性能和电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 18mΩ（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN2525-8

特性

LR25D40SDG 具备低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高栅极电压耐受能力（±20V）确保了在高噪声环境下也能稳定运行。该器件采用 DFN 封装，体积小巧，散热性能优异，适合高密度 PCB 设计。此外，该 MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　在制造工艺方面，LR25D40SDG 采用了先进的沟槽式 MOS 结构，提高了载流能力和热稳定性。同时，其内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，有助于减少开关损耗。该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在突发负载变化下保持稳定工作。

应用

LR25D40SDG 广泛应用于各种电源管理系统，包括但不限于同步降压转换器、升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及服务器和通信设备的 DC-DC 转换模块。由于其高效率和小尺寸设计，特别适合用于对空间和能效要求较高的应用场合，例如工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统。