时间：2025/6/3 21:36:27
阅读：5
LQW18AN6N8C00D 是一款由罗姆（ROHM）半导体制造的低导通电阻 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用小型化封装，适合在紧凑型设计中使用。其出色的开关性能和低导通损耗使其成为消费电子、通信设备及工业控制等领域的理想选择。
该型号属于 LQW 系列，专门针对高效能应用进行了优化，能够有效降低电路中的功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：3.8nC
输入电容（典型值）：1170pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：HSOP-J8
LQW18AN6N8C00D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用场景。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得该 MOSFET 在需要高效率和小体积的应用中表现出色，如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
LQW18AN6N8C00D 广泛应用于以下场景：
1. 移动设备中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑和其他便携式电子产品的电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 电信设备中的信号调节与电源转换。
5. LED 照明系统的驱动电路。
由于其卓越的性能和可靠性，该器件特别适合对效率和空间有严格要求的设计。
LQW18AN6N8C00D-G, LQW18AN6N8C00D-T
