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LQW18AN6N8C00D 发布时间 时间:2025/6/3 21:36:27 查看 阅读:5

LQW18AN6N8C00D 是一款由罗姆(ROHM)半导体制造的低导通电阻 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用小型化封装,适合在紧凑型设计中使用。其出色的开关性能和低导通损耗使其成为消费电子、通信设备及工业控制等领域的理想选择。
  该型号属于 LQW 系列,专门针对高效能应用进行了优化,能够有效降低电路中的功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.9A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):3.8nC
  输入电容(典型值):1170pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:HSOP-J8

特性

LQW18AN6N8C00D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场景。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得该 MOSFET 在需要高效率和小体积的应用中表现出色,如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。

应用

LQW18AN6N8C00D 广泛应用于以下场景:
  1. 移动设备中的电源管理模块。
  2. 笔记本电脑和其他便携式电子产品的电池管理系统。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  4. 电信设备中的信号调节与电源转换。
  5. LED 照明系统的驱动电路。
  由于其卓越的性能和可靠性,该器件特别适合对效率和空间有严格要求的设计。

替代型号

LQW18AN6N8C00D-G, LQW18AN6N8C00D-T

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LQW18AN6N8C00D参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQW18A_00
  • 电感6.8nH
  • 电流750mA
  • 电流 - 饱和-
  • 电流 - 温升-
  • 类型-
  • 容差±0.2nH
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 82 毫欧
  • Q因子@频率35 @ 250MHz
  • 频率 - 自谐振6GHz
  • 材料 - 芯体-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试100MHz