MTI14-250Q 时间：2025/8/30 4:19:52 阅读：10

MTI14-250Q 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关特性和高耐压能力，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等多种工业和通信电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250 V
　　连续漏极电流（ID）：14 A（在 Tc=25°C）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2 V 至 4 V
　　导通电阻 RDS(on)：典型值 0.25 Ω（在 VGS=10 V）
　　最大功率耗散：70 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体子型号）

特性

MTI14-250Q 的核心特性包括其低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该 MOSFET 具有高耐压能力，可承受高达 250V 的漏源电压，适用于中高功率电源系统。其快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频操作环境。MTI14-250Q 的热阻较低，有助于在高电流条件下保持稳定工作温度。此外，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了在高压瞬态条件下的可靠性。器件采用标准的 TO-220 或 D2PAK 封装，便于散热和安装，并且符合 RoHS 环保标准。