时间：2025/5/10 16:14:35
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LQW18AN4N7D00D是一款由罗姆（ROHM）生产的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该芯片采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够提供低导通电阻和高效率的性能表现。
这款器件具有出色的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型设计中使用，并且支持表面贴装工艺（SMD），便于自动化生产。其封装形式为LFPAK88，尺寸小巧但散热性能优越。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：96nC
总电容（输入电容）：2200pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：LFPAK88
LQW18AN4N7D00D具备超低导通电阻，可显著降低功率损耗，提升系统整体效率。此外，它还拥有快速开关速度和低栅极电荷的特点，有助于减少开关损耗。
该器件的工作结温高达175℃，使其能够在严苛的环境下可靠运行。同时，其封装设计优化了散热路径，进一步增强了产品的稳定性。
通过采用沟槽工艺，LQW18AN4N7D00D实现了更高的单位面积电流密度，从而为工程师提供了更灵活的设计选择。此外，它的短路耐受能力也经过了严格测试，确保在异常情况下不会轻易损坏。
该功率MOSFET适用于各种需要高效能和低损耗的场合，例如：
- 消费类电子产品的适配器和充电器
- 工业设备中的DC-DC转换器
- 电动工具及家用电器的电机控制
- 电信基础设施的负载开关
- 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）
LQW18AN4N7D00DTR, LQW18AN4N7D00DK
