时间：2025/5/12 19:39:11
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LQW18AN43NG00D 是由罗姆（ROHM）公司生产的 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 功率模块。该模块采用了先进的碳化硅技术，具有高效率、高频开关和低导通电阻的特点。这种功率模块适用于工业设备、新能源汽车、光伏发电系统以及各种高性能功率转换应用中。它通过优化封装设计和芯片性能，显著提高了系统的可靠性和效率。
该器件内部集成了两个 SiC MOSFET 单元，采用半桥配置（High-side 和 Low-side），支持大电流输出，同时具备短路保护和热保护功能，确保在恶劣工况下的稳定运行。
额定电压：1200V
额定电流：43A
Rds(on)：9.5mΩ（典型值，25°C）
最大结温：175°C
开关频率：高达 100kHz
封装形式：Direct Bond Copper (DBC) 基板
输入电容：1000pF（典型值）
漏源极击穿电压：1200V（最小值）
导通电阻温度系数：正温度系数
栅极驱动电压：18V（推荐值）
1. 使用碳化硅材料制造的 MOSFET 芯片，大幅提升了效率和功率密度。
2. 高达 1200V 的耐压能力使其适合高压应用场景，例如电动车逆变器和工业电源。
3. 内部集成半桥拓扑结构，减少了外部元件数量并简化了电路设计。
4. 极低的导通电阻（Rds(on)）降低了传导损耗，从而提高整体效率。
5. 支持高频开关操作，减少磁性元件体积和系统成本。
6. 具备优异的热性能和高可靠性，能够在高温环境下长期工作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适合多种工业应用需求。
1. 新能源汽车中的电机驱动控制器和 DC-DC 转换器。
2. 光伏发电系统中的逆变器和 MPPT 控制器。
3. 工业变频器和伺服驱动器。
4. 不间断电源（UPS）和其他高效能电力电子设备。
5. 快速充电站和电动汽车车载充电器。
6. 高频开关电源和通信基站电源。
7. 大功率 LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
LQW18AN40NG00D, LQW18AN30NG00D
