LQW18AN15NG00D 是一款由罗姆(ROHM)生产的高功率、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该型号采用小型化封装设计,主要适用于需要高效开关性能和低功耗的应用场景。
该芯片在高频开关应用中表现出色,能够满足严格的能效要求,并且具备出色的热性能和耐用性,适合各种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:28A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):3.9mΩ
栅极电荷(典型值):77nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装类型:TO-263-3
LQW18AN15NG00D 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高耐压能力,额定漏源电压为 60V,能够在宽电压范围内稳定运行。
3. 支持大电流操作,最大连续漏极电流可达 28A,适用于高功率应用场景。
4. 出色的热稳定性,在极端温度条件下依然保持优异性能。
5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动器中的功率级元件。
3. 工业逆变器和变频器中的功率转换模块。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率控制的场合。
LQW18AN15NG00D 的常见替代型号包括:
LQW18AN15TG00D
IRLB8748PBF
FDP16N10
STP16NF06L