时间：2025/4/29 12:04:56
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LQW18AN15NG00D 是一款由罗姆（ROHM）生产的高功率、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该型号采用小型化封装设计，主要适用于需要高效开关性能和低功耗的应用场景。
该芯片在高频开关应用中表现出色，能够满足严格的能效要求，并且具备出色的热性能和耐用性，适合各种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：28A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：3.9mΩ
栅极电荷（典型值）：77nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263-3
LQW18AN15NG00D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高耐压能力，额定漏源电压为 60V，能够在宽电压范围内稳定运行。
3. 支持大电流操作，最大连续漏极电流可达 28A，适用于高功率应用场景。
4. 出色的热稳定性，在极端温度条件下依然保持优异性能。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动器中的功率级元件。
3. 工业逆变器和变频器中的功率转换模块。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换开关。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率控制的场合。
LQW18AN15NG00D 的常见替代型号包括：
LQW18AN15TG00D
IRLB8748PBF
FDP16N10
STP16NF06L
