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LQW18AN15NG00D 发布时间 时间:2025/4/29 12:04:56 查看 阅读:6

LQW18AN15NG00D 是一款由罗姆(ROHM)生产的高功率、低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET。该型号采用小型化封装设计,主要适用于需要高效开关性能和低功耗的应用场景。
  该芯片在高频开关应用中表现出色,能够满足严格的能效要求,并且具备出色的热性能和耐用性,适合各种工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:28A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷(典型值):77nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-263-3

特性

LQW18AN15NG00D 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高耐压能力,额定漏源电压为 60V,能够在宽电压范围内稳定运行。
  3. 支持大电流操作,最大连续漏极电流可达 28A,适用于高功率应用场景。
  4. 出色的热稳定性,在极端温度条件下依然保持优异性能。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流电机驱动器中的功率级元件。
  3. 工业逆变器和变频器中的功率转换模块。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率控制的场合。

替代型号

LQW18AN15NG00D 的常见替代型号包括:
  LQW18AN15TG00D
  IRLB8748PBF
  FDP16N10
  STP16NF06L

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LQW18AN15NG00D参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQW18A_00
  • 电感15nH
  • 电流600mA
  • 电流 - 饱和-
  • 电流 - 温升-
  • 类型-
  • 容差±2%
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 130 毫欧
  • Q因子@频率40 @ 250MHz
  • 频率 - 自谐振6GHz
  • 材料 - 芯体-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试100MHz