时间：2025/5/9 9:31:21
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LQW15AN2N7C00D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能和低损耗的场景。其设计注重降低导通电阻和开关损耗，从而提高整体系统效率。同时，LQW15AN2N7C00D具备良好的热性能和电气稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
类型：N沟道 MOSFET
电压等级：60V
最大漏源电流：130A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：85nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
LQW15AN2N7C00D具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 良好的热稳定性和可靠性，适合长时间连续工作。
4. 优化的栅极驱动设计，简化了外围电路的设计复杂度。
5. 强大的过流能力和短路耐受能力，增强了系统的安全性。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热和安装。
LQW15AN2N7C00D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器，如降压、升压或反激式转换器。
3. 电动汽车和工业设备中的电机驱动电路。
4. 大功率LED驱动器。
5. 不间断电源（UPS）和其他需要高效功率转换的应用场景。
LQW15AN2N7C00H, LQW15AN2N7C00G
