MPC1850SVMEL 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能、低噪声、高线性度的射频(RF)低噪声放大器(LNA),专门设计用于工作在高频应用中,例如无线通信、蜂窝网络、基础设施设备以及工业和消费类射频系统。该器件采用了先进的硅锗(SiGe)工艺,提供了优异的噪声系数(NF)性能和高增益,同时保持良好的线性度和稳定性。MPC1850SVMEL 采用 SOT-89 封装,适合用于表面贴装技术(SMT)的电路板设计。
频率范围:800 MHz ~ 3.8 GHz
工作电压:3.0 V ~ 5.5 V
典型工作电流:38 mA
噪声系数(NF):0.55 dB @ 900 MHz
增益:16 dB @ 900 MHz
OIP3:+25 dBm
输入回波损耗(S11):10 dB @ 900 MHz
输出回波损耗(S22):12 dB @ 900 MHz
封装类型:SOT-89
MPC1850SVMEL 的主要特性之一是其卓越的低噪声性能,噪声系数在900 MHz下仅为0.55 dB,这使其非常适合用于接收链前端的信号放大,确保微弱信号能够被有效增强而不引入过多噪声。该器件具有16 dB的中等增益,在保持高增益的同时还具有良好的线性度,OIP3达到+25 dBm,这意味着在面对高输入信号时仍能保持较低的失真水平,从而提高系统的整体性能。
另一个关键特性是其宽泛的工作电压范围(3.0 V至5.5 V),使该器件适用于多种电源架构,增强了设计的灵活性。典型工作电流为38 mA,确保在低功耗条件下仍能维持高性能,适用于对功耗敏感的应用场景,例如便携式通信设备或远程无线基站。
此外,MPC1850SVMEL 的输入和输出匹配网络已经内部优化,覆盖800 MHz至3.8 GHz的频率范围,减少了外部元件的使用,简化了电路设计。该器件采用SOT-89封装,具有良好的热管理和机械稳定性,便于在高密度PCB设计中使用。其高输入和输出回波损耗(S11和S22)也确保了与天线和后级电路的良好匹配,减少信号反射和损耗。
最后,MPC1850SVMEL 经过全面的温度和工艺测试,确保在各种工作环境下都能保持稳定性能,适用于工业级温度范围,增强了其在严苛环境中的可靠性。
MPC1850SVMEL 主要应用于无线通信系统中,特别是在接收链的前端作为低噪声放大器使用。其典型应用场景包括蜂窝基站(如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等)、无线基础设施设备、无线局域网(WLAN)、WiMAX、物联网(IoT)设备、RFID读写器、测试和测量设备、航空航天和国防通信系统,以及各种便携式和固定式无线接收设备。该器件的宽频带特性使其适用于多频段或多标准系统的前端放大,而其高线性度和低噪声系数则有助于提升系统的整体灵敏度和抗干扰能力。此外,MPC1850SVMEL 还可用于工业控制、远程监控和智能电表等需要高可靠性RF前端放大的领域。
MAX2642、BFP420、AV6133、RPM6701、TQP3M9003