时间：2025/5/22 1:22:12
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LQW15AN27NG00D是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻N沟道功率MOSFET。该器件采用DSOP8封装，具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电源管理应用，例如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
这款MOSFET以低导通电阻为主要特点，能够显著降低功耗并提高效率。同时，它还具备快速开关速度和良好的热稳定性，非常适合需要高效率和紧凑设计的电子产品。
型号：LQW15AN27NG00D
制造商：ROHM
类型：N沟道功率MOSFET
封装：DSOP8
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：150A
Vgs（栅源电压）：±20V
总功耗：114W
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷：165nC（典型值）
LQW15AN27NG00D的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流（150A），使其适合大功率应用。
3. 快速开关能力，可有效降低开关损耗。
4. 优秀的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 小型化DSOP8封装，便于PCB布局和散热设计。
6. 广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应各种恶劣环境。
这些特性使该器件成为工业控制、汽车电子和通信设备中高性能电源模块的理想选择。
LQW15AN27NG00D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 各类DC-DC转换器，用于高效电压调节。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统，如电池管理系统（BMS）、逆变器和LED驱动器。
6. 能量回收和可再生能源相关应用，例如太阳能微逆变器。
凭借其卓越的性能和可靠性，LQW15AN27NG00D可以满足大多数现代电子设备对高效功率转换的需求。
LQW15AN27NG00D-PJ, LQW15AN27NG00D-W
