H9CCNNNCPTALBR-NUD 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用BGA(Ball Grid Array)封装技术,适用于需要高存储带宽和快速数据存取的应用场景,如高端计算设备、服务器、图形处理单元(GPU)等。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为低功耗和高数据传输速率设计。
类型:DRAM
子类型:LPDDR4 SDRAM
容量:8GB(具体容量可能因配置不同而有所变化)
封装类型:BGA
工作电压:1.1V(核心电压)/ 1.8V(I/O电压)
数据速率:3200Mbps/4266Mbps(具体速率视具体配置而定)
接口:JEDEC标准LPDDR4接口
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:根据具体封装形式可能为138-ball或153-ball BGA
制造工艺:先进制程工艺(通常为20nm以下)
H9CCNNNCPTALBR-NUD 具备多项先进的技术特性,使其在高性能和低功耗方面表现出色。首先,它采用了LPDDR4标准,支持高达4266Mbps的数据传输速率,显著提升了数据带宽,满足现代计算和图形处理的需求。其次,该芯片通过低电压设计(核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V)有效降低了功耗,适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。
此外,H9CCNNNCPTALBR-NUD 采用BGA封装技术,提高了封装密度和信号完整性,减少了信号干扰并提升了稳定性。其工作温度范围广泛,能够在-40°C至+85°C之间稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
为了提高系统可靠性,该芯片支持多种错误检测和纠正机制,如数据掩码(DM)、校验码(CA)等功能,有助于提升数据完整性和系统稳定性。此外,该芯片支持多种电源管理模式,包括自刷新模式和深度掉电模式,进一步优化了功耗表现。
H9CCNNNCPTALBR-NUD 广泛应用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。其高带宽和低功耗特性使其非常适合用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备。同时,该芯片也适用于图形加速卡、AI加速器、嵌入式视觉系统等需要大量数据处理能力的设备。
在工业领域,H9CCNNNCPTALBR-NUD 可用于工业计算机、自动化控制系统、智能摄像头等设备,提供稳定、高效的内存支持。此外,它也适用于网络设备、边缘计算节点、5G基站等通信基础设施,满足高速数据传输和实时处理的需求。
由于其宽温工作范围,该芯片还可用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,确保在极端温度条件下仍能可靠运行。
H9CCNNNCPTALBR-NUE, H9CCNNN8GTALBR-NUD, H9CCNNNCTMUMDR-NUD