时间：2025/9/2 4:45:06
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H9CCNNNCPTALBR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用BGA（Ball Grid Array）封装技术，适用于需要高存储带宽和快速数据存取的应用场景，如高端计算设备、服务器、图形处理单元（GPU）等。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为低功耗和高数据传输速率设计。
类型：DRAM
子类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8GB（具体容量可能因配置不同而有所变化）
封装类型：BGA
工作电压：1.1V（核心电压）/ 1.8V（I/O电压）
数据速率：3200Mbps/4266Mbps（具体速率视具体配置而定）
接口：JEDEC标准LPDDR4接口
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据具体封装形式可能为138-ball或153-ball BGA
制造工艺：先进制程工艺（通常为20nm以下）
H9CCNNNCPTALBR-NUD 具备多项先进的技术特性，使其在高性能和低功耗方面表现出色。首先，它采用了LPDDR4标准，支持高达4266Mbps的数据传输速率，显著提升了数据带宽，满足现代计算和图形处理的需求。其次，该芯片通过低电压设计（核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V）有效降低了功耗，适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。
此外，H9CCNNNCPTALBR-NUD 采用BGA封装技术，提高了封装密度和信号完整性，减少了信号干扰并提升了稳定性。其工作温度范围广泛，能够在-40°C至+85°C之间稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
为了提高系统可靠性，该芯片支持多种错误检测和纠正机制，如数据掩码（DM）、校验码（CA）等功能，有助于提升数据完整性和系统稳定性。此外，该芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，进一步优化了功耗表现。
H9CCNNNCPTALBR-NUD 广泛应用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。其高带宽和低功耗特性使其非常适合用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备。同时，该芯片也适用于图形加速卡、AI加速器、嵌入式视觉系统等需要大量数据处理能力的设备。
在工业领域，H9CCNNNCPTALBR-NUD 可用于工业计算机、自动化控制系统、智能摄像头等设备，提供稳定、高效的内存支持。此外，它也适用于网络设备、边缘计算节点、5G基站等通信基础设施，满足高速数据传输和实时处理的需求。
由于其宽温工作范围，该芯片还可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，确保在极端温度条件下仍能可靠运行。
H9CCNNNCPTALBR-NUE, H9CCNNN8GTALBR-NUD, H9CCNNNCTMUMDR-NUD
