时间：2025/5/21 17:32:57
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LQW15AN22NG00D是一款由罗姆（ROHM）生产的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高效能功率管理电路。该器件采用N沟道增强型技术，支持高频开关和低导通电阻特性，可有效提升系统的效率与稳定性。LQW15AN22NG00D通过优化的半导体工艺实现了卓越的电气性能，并具备良好的散热能力，适用于高功率密度的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263-3
工作温度范围：-55℃至175℃
LQW15AN22NG00D具有超低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，特别是在大电流应用场景下表现优异。同时，其快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频操作环境。
此外，该器件具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，可以承受短时间内较大的脉冲电流冲击。为了满足严格的工业标准，LQW15AN22NG00D还经过了严格的质量测试，确保在恶劣环境下也能可靠运行。
LQW15AN22NG00D广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- 电动工具驱动
- 汽车电子系统
- 工业控制中的功率模块
- LED驱动器
- DC-DC转换器
其高性能和可靠性使该器件成为众多设计工程师的理想选择。
LQW15AN22NG10D
LQW15AN22NG20D
