您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LQS2G221MELZ45

LQS2G221MELZ45 发布时间 时间:2025/10/7 1:53:54 查看 阅读:5

LQS2G221MELZ45是一款由松下(Panasonic)生产的表面贴装型多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于松下LQW系列,专为高频应用设计,具有优异的电气性能和稳定性。LQS2G221MELZ45的标称电容值为220pF,额定电压为50V,电容公差为±20%,适用于需要高频率响应和低损耗的射频电路中。该电容器采用0603(1608公制)封装尺寸,适合高度集成的便携式电子设备使用。其结构采用先进的陶瓷介质材料和内部电极技术,确保在高频工作条件下仍能保持稳定的电容特性和低等效串联电阻(ESR),从而减少能量损耗并提高系统效率。
  LQS2G221MELZ45特别适用于工业、汽车电子以及通信设备中的去耦、滤波和阻抗匹配电路。该产品符合RoHS环保标准,并具备良好的温度稳定性和机械强度,能够在较宽的环境温度范围内可靠运行。此外,由于其小型化设计和高可靠性,该型号被广泛应用于智能手机、无线模块、射频识别(RFID)系统以及其他高频信号处理场合。

参数

电容值:220pF
  额定电压:50V
  电容公差:±20%
  封装尺寸:0603(1608公制)
  温度特性:X7R
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  介质材料:陶瓷
  安装类型:表面贴装(SMD)
  产品系列:LQW
  直流偏压特性:典型值随电压上升电容略有下降
  老化特性:X7R材质不显著
  等效串联电阻(ESR):低
  自谐振频率(SRF):典型值在GHz级别
  电容器类型:多层陶瓷电容器(MLCC)

特性

LQS2G221MELZ45作为一款高频优化的多层陶瓷电容器,具备出色的高频响应能力和稳定的电气性能。其核心特性之一是采用了X7R类电介质材料,这种材料在-55°C至+125°C的宽温度范围内能够保持电容值的变化不超过±15%,从而确保了在各种恶劣环境下的工作稳定性。这对于汽车电子或工业控制系统等对温度变化敏感的应用尤为重要。同时,X7R介质还提供了相对较高的介电常数,使得在小尺寸封装内实现较大电容成为可能,满足现代电子产品小型化和高密度布局的需求。
  该器件的0603封装尺寸(1.6mm x 0.8mm)不仅节省PCB空间,而且具有较低的寄生电感,有助于提升其自谐振频率(SRF),使其在GHz级别的射频频段依然保持良好的电容行为。这意味着它可以在高频去耦和滤波应用中有效抑制噪声,避免信号失真。此外,低等效串联电阻(ESR)进一步降低了器件在高频下的功率损耗,提高了整体系统的能效表现。
  LQS2G221MELZ45经过严格的制造工艺控制,具备良好的焊接可靠性和抗热冲击能力,适用于回流焊工艺。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构,增强了耐湿性与可焊性,确保长期使用的可靠性。在直流偏压方面,虽然X7R材料会随着施加电压增加而出现一定程度的电容衰减,但该型号通过优化内部电极结构,在50V工作电压下仍能维持较为理想的电容输出,适用于中高压信号耦合场景。
  另一个关键优势是其优异的高频特性,使其广泛用于射频匹配网络中,如天线调谐、LC振荡器和谐波滤波器等。其稳定的阻抗特性和低损耗因子(Dissipation Factor)保证了信号完整性,减少了不必要的能量反射和发热问题。此外,该器件符合AEC-Q200汽车级认证要求(若具体批次支持),可用于车载信息娱乐系统、雷达传感器和电源管理模块等高要求领域。

应用

LQS2G221MELZ45主要用于高频模拟和射频电路设计中,典型应用场景包括无线通信设备中的射频匹配网络、天线调谐电路、LC振荡器和滤波器。其稳定的电容特性和低ESR使其非常适合用作射频放大器的输入/输出端去耦电容,以消除高频噪声干扰,提升信号质量。此外,在高速数字系统中,该电容器可用于局部电源去耦,稳定IC供电电压,防止因瞬态电流引起的电压波动影响系统运行。
  在移动终端设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,LQS2G221MELZ45常用于Wi-Fi、蓝牙、GPS和蜂窝通信模块的射频前端电路中,发挥阻抗匹配和信号滤波的作用。其小型化封装适应高密度PCB布局需求,有助于缩小整机体积。在物联网(IoT)设备和无线传感器节点中,该器件也广泛用于射频收发单元的旁路和耦合电路,保障无线传输的稳定性与效率。
  工业自动化和汽车电子领域同样是其重要应用方向。例如,在车载导航系统、远程无钥匙进入系统(RKE)、胎压监测系统(TPMS)以及ADAS传感器模块中,该电容器可用于高频信号路径的滤波和稳定。由于其具备良好的温度稳定性和抗振动能力,能够在严苛环境下长期可靠运行。此外,在测试测量仪器、射频识别(RFID)读写器和基站射频单元中,LQS2G221MELZ45也被用于构建高性能的选频网络和带通滤波结构,确保信号处理精度。

LQS2G221MELZ45推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

LQS2G221MELZ45资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

LQS2G221MELZ45参数

  • 制造商Nichicon
  • 电容220 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值400 Volts
  • 工作温度范围- 25 C to + 105 C
  • 系列QS
  • 直径22 mm (0.87 in)
  • 长度45 mm
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • 漏泄电流0.88 mAmps
  • 封装Bulk
  • 纹波电流1100 mAmps
  • 工厂包装数量50
  • 端接类型Snap In