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MUN2211T3G 发布时间 时间:2023/3/31 11:01:19 查看 阅读:691

产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商:ON Semiconductor

产品种类:数字晶体管

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:10 KOhm

典型电阻器比率:1

封装 / 箱体:SC-59-3

直流电流增益 hFE 最小值:35 @ 5mA @ 10V

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

功率耗散:230 mW

最大工作温度:+ 150℃

封装:Reel

最小工作温度:- 55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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MUN2211T3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)50nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大338mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MUN2211T3G-NDMUN2211T3GOSTR