时间：2025/5/30 23:10:13
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LQP15MN12NG02D是一款超小型、低导通电阻的N沟道逻辑电平MOSFET，采用WSON6（2mmx2mm）封装形式。该器件专为高效率和紧凑设计而优化，适用于消费电子、通信设备及工业应用中的负载开关、同步整流和DC-DC转换电路。其低导通电阻特性可以显著降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：12V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极-源极电压范围：-1.5V至8V
总功耗：850mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：WSON6（2mmx2mm）
LQP15MN12NG02D具有极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高功率转换效率。同时，该产品支持宽范围的栅极驱动电压，非常适合用于逻辑电平驱动场景。此外，它的超小封装尺寸能够有效节省PCB空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
该器件还具备出色的热性能，在高温环境下仍能保持稳定运行，并且符合RoHS环保标准。
这款MOSFET主要应用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路以及电机驱动等场景。它特别适合需要高效功率传输和小型化设计的应用场合，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器和可穿戴设备等。
LQP15MN12NQ02D
