时间：2025/5/29 20:12:02
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LQP03TN82NJ02D是一款由ROHM生产的低导通电阻N沟道功率MOSFET。该器件采用小型化的DFN封装，非常适合用于需要高效开关和低功耗的应用场景。其低导通电阻的特性可以有效减少电路中的功率损耗，并且具备快速开关速度和高可靠性。这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该芯片设计旨在优化空间受限应用中的性能表现，同时提供出色的电气特性和热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.9A
导通电阻：28mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：740mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN2020-6
LQP03TN82NJ02D具有超低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。它还具备良好的热稳定性和快速的开关速度，适合高频操作环境。此外，该元件采用了紧凑型表面贴装封装，节省了PCB空间并简化了组装过程。
此款MOSFET经过严格的质量测试，确保在恶劣的工作条件下也能保持高性能和高可靠性。由于其小尺寸和高效的电气性能，它是许多便携式和空间敏感型设备的理想选择。
LQP03TN82NJ02D适用于多种应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明以及电池管理等。凭借其优越的电气特性和紧凑的设计，该元件特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中的电源管理和信号切换功能。
另外，在通信设备领域，如路由器、交换机及基站中也有广泛应用。在工业自动化方面，可用于各类传感器接口、过程控制单元以及数据采集系统的电源部分。
LQP03TN82NL02D
LQP03TN82NK02D
