时间：2025/5/7 15:36:28
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LQP03TN6N8H02D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的超小型、低导通电阻的 N 沣道场效应晶体管（N-MOSFET）。该产品采用了业界领先的微细化工艺技术，专为需要高效率和节省空间的应用设计。其封装形式为 WSON6 (1.0x0.6mm)，适合用于便携式设备和高密度安装场景。
最大栅极电压：20V
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：3.2A
导通电阻(Rds(on))：85mΩ
栅极电荷(Qg)：4nC
工作温度范围：-55℃ to 150℃
LQP03TN6N8H02D 的主要特点包括：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升整体系统效率。
2. 封装尺寸非常小（1.0x0.6mm），非常适合对空间要求严格的移动设备。
3. 高耐压能力（60V），适用于多种低压到中压应用场景。
4. 支持高温工作环境（最高可达150℃），确保在恶劣条件下的可靠性。
5. 极低的栅极电荷，有助于实现快速开关动作，减少开关损耗。
该型号广泛应用于各种消费类电子产品的电源管理领域，例如：
1. 智能手机和平板电脑中的负载开关。
2. 可穿戴设备中的电池保护电路。
3. 数码相机和其他便携式电子设备中的功率转换模块。
4. LED驱动器中的开关元件。
5. 充电器和适配器中的同步整流组件。
LQP03TN6N8H02DS, LQP03TN6N8H02DP
