时间：2025/5/8 14:05:24
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LQP03TN39NJ02D 是一款由 Rohm（罗姆）生产的超小型、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET。该产品采用 USP-6B 封装，具有出色的开关性能和散热特性，非常适合用于空间受限的应用场景。这款器件主要用于电源管理、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的高效开关应用。
其小尺寸和高性能特点使其成为现代消费类电子产品、通信设备和工业控制的理想选择。
型号：LQP03TN39NJ02D
制造商：Rohm
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，VGS=10V时）
IDS（连续漏极电流）：18A
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.7V~2.7V
封装：USP-6B
工作温度范围：-55℃~+150℃
LQP03TN39NJ02D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低功耗并提高效率。
2. 超小型封装设计，节省 PCB 空间，非常适合便携式设备。
3. 高耐压能力（VDS = 40V），能够在多种电路中稳定运行。
4. 快速开关性能，减少开关损耗。
5. 出色的热稳定性，确保在高电流应用中的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
LQP03TN39NJ02D 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备的电源管理单元 (PMU) 和负载开关。
2. 消费类电子产品中的 DC/DC 转换器和电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
4. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
5. 通信设备中的电源保护和电流控制。
6. 笔记本电脑和平板电脑中的电池充电及放电路径管理。
LQP03TN39KJ02D, LQP03TN39MJ02D
