WESD36V0A2S2是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器(TVS),主要设计用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)以及其他瞬态过压事件的影响。该器件采用DFN1006-2封装,具有超小体积和出色的动态电阻特性,非常适合在空间受限的应用中提供高效的电路保护。
该型号属于WE TVS系列,具有低电容、低泄漏电流和高击穿电压的特点,广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中的信号线保护。
封装:DFN1006-2
工作电压(VRWM):36V
击穿电压(VBR):39.8V
最大箝位电压(VC):58.8V
峰值脉冲电流(IPP):47A
反向漏电流(IR):1μA
结电容(Cj):0.7pF
响应时间:1ps
工作温度范围:-55℃至+150℃
WESD36V0A2S2具有非常低的电容值(仅0.7pF),这使其非常适合高频应用,同时能够有效减少对信号完整性的干扰。
其高击穿电压(39.8V)和大峰值脉冲电流能力(47A)保证了器件能够在面对高强度瞬态事件时提供可靠的保护。
此外,该器件的极快响应时间(1ps)可以迅速抑制瞬态过压,从而最大限度地减少对被保护电路的损害。
由于采用了DFN1006-2封装,WESD36V0A2S2具备极小的外形尺寸(1.0mm x 0.6mm x 0.35mm),非常适合便携式和紧凑型设备的设计需求。
另外,它符合RoHS标准,并能在极端温度条件下稳定运行,进一步增强了其可靠性和适用性。
WESD36V0A2S2适用于各种需要高可靠性电路保护的场合,包括但不限于以下领域:
1. 消费类电子产品中的USB接口、HDMI接口和其他高速数据线保护。
2. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
3. 通信设备中的射频(RF)端口和天线保护。
4. 汽车电子系统中的CAN总线和LIN总线保护。
5. 医疗设备中的敏感信号输入保护。
6. 物联网(IoT)设备中的无线模块保护。
通过在这些关键部位使用WESD36V0A2S2,可以显著提高系统的抗干扰能力和长期稳定性。
WESD36V0A1S2
WESD36V0A2S2P
SM6T36CA
PESD36VB1L
TPD6S36V