时间：2025/5/8 1:13:16
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LQP03TN2N4B02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的超小型表面贴装型 N 沣道晶体管。该晶体管采用 USPN-3 封装，具有低导通电阻和高切换速度的特点，适合在各种便携式设备、消费类电子以及工业控制电路中使用。
该晶体管主要应用于负载开关、电池保护电路、电机驱动等场景。其出色的性能和紧凑的封装形式使其成为现代电子设计中的理想选择。
类型：N-MOSFET
最大漏源电压 Vds：20V
最大栅源电压 Vgs：±8V
最大连续漏极电流 Id：1.5A
导通电阻 Rds(on)：40mΩ (典型值，Vgs=4.5V)
总功耗 Ptot：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：USPN-3
LQP03TN2N4B02D 的主要特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻：该器件在典型条件下的导通电阻仅为 40mΩ，能够显著降低功率损耗。
2. 小型化封装：采用 USPN-3 封装，尺寸仅为 1.0mm x 0.6mm x h0.4mm，非常适合空间受限的设计。
3. 高可靠性：具备良好的抗静电能力（HBM：±2kV），可适应多种复杂环境。
4. 快速切换性能：该晶体管具有较低的输入电容，因此可以实现快速的开关操作，减少开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围：支持从 -55°C 到 +150°C 的温度区间，确保在极端条件下依然保持稳定性能。
LQP03TN2N4B02D 主要用于以下领域：
1. 负载开关：可用于手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
2. 电池保护电路：适用于锂电池保护板，提供过流、短路保护功能。
3. 电机驱动：适合小功率直流电机或步进电机的驱动电路。
4. 开关模式电源（SMPS）：用作同步整流器或开关元件。
5. 工业控制：如传感器接口、信号切换等场景。
LQP03TN2N4B02G
