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SP8K3TB 发布时间 时间:2025/5/29 1:24:57 查看 阅读:16

SP8K3TB 是一款高集成度的开关电源管理芯片,主要用于 AC-DC 转换场景。该芯片内置高压启动电路和智能待机功能,能够在低功耗模式下保持系统稳定运行,同时支持宽电压输入范围。其设计目标是为消费类电子设备(如适配器、充电器等)提供高效能、小体积的电源解决方案。
  SP8K3TB 采用了先进的 PWM 控制技术,具有快速动态响应能力和精准的输出电压调节功能。此外,它还具备多重保护机制,包括过温保护、过载保护和短路保护,确保系统在各种异常情况下的安全运行。

参数

输入电压范围:90VAC - 264VAC
  输出电压范围:5VDC - 24VDC
  最大输出电流:3A
  工作频率:65kHz - 130kHz
  待机功耗:<0.075W
  效率:高达 94%
  封装形式:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

SP8K3TB 的主要特性如下:
  1. 内置高压 MOSFET 和启动电路,减少外部元件数量,降低 BOM 成本。
  2. 支持准谐振(QR)模式操作,提升系统效率并降低电磁干扰(EMI)。
  3. 智能调频技术,可根据负载动态调整开关频率,优化轻载或空载条件下的性能。
  4. 具备全面的保护功能,包括 VDD 过压保护、逐周期限流保护以及输出短路保护。
  5. 内部集成了斜坡补偿功能,增强系统的稳定性。
  6. 提供精确的恒压(CV)和恒流(CC)控制模式,适用于快充应用。
  7. 封装紧凑,便于小型化设计,满足便携式设备的需求。

应用

SP8K3TB 广泛应用于以下领域:
  1. 手机及平板电脑充电器。
  2. 笔记本电脑适配器。
  3. USB-PD 快速充电器。
  4. 小型家电的电源模块。
  5. LED 照明驱动电源。
  6. 工业设备中的辅助电源单元。
  这款芯片凭借其高效率和可靠性,成为众多电源设计的理想选择。

替代型号

SP8K3TA, SP8K3TC, SP8K3TD

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SP8K3TB参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP8K3TB-NDSP8K3TBTR