时间：2025/5/9 9:19:20
阅读：7
LQP03TN2N0B02D 是一种低功耗、高精度的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET）。该型号属于超小型 SOT-23 封装，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。其设计注重降低导通电阻和开关损耗，适用于高效能要求的电路中。该 MOSFET 的最大特点在于支持极低的工作电压，同时保持稳定的性能表现。
此器件适合需要紧凑空间设计的应用场景，如便携式设备、电池管理系统和电源管理单元等。
封装：SOT-23
Vds（漏源击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：65mΩ
Id（连续漏极电流）：2.1A
Vgs(th)（阈值栅极电压）：1.2V~2.5V
Qg（总栅极电荷）：4nC
f（工作频率）：5MHz
Tj（结温范围）：-55℃~150℃
LQP03TN2N0B02D 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少功率损耗，提高整体效率。
2. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，使其非常适合低压系统。
3. 超小尺寸的 SOT-23 封装，有助于实现更紧凑的 PCB 设计。
4. 快速开关速度，确保在高频应用中表现出色。
5. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的温度范围内正常运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
LQP03TN2N0B02D 常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流器或降压转换器。
2. 电池供电设备的负载开关。
3. 消费类电子产品中的保护电路，例如过流保护或短路保护。
4. 工业自动化设备中的信号切换。
5. 数据通信设备中的高速开关元件。
6. 可穿戴设备及其他便携式电子产品的电源管理模块。
LQP03TN2N0B02DTR, LQP03TN2N0B02DS
