LQP03TN1N5B02D 是一款由罗姆(ROHM)生产的超小型、低导通电阻的 P 沟道功率 MOSFET。该器件采用 USP-6B 封装形式,具有出色的性能和紧凑的设计,适合在空间受限的应用中使用。这款 MOSFET 主要用于负载开关、电源管理以及电池供电设备中的电流控制。
由于其低导通电阻特性,LQP03TN1N5B02D 能够显著降低功耗并提升系统的整体效率。同时,该产品具备较高的可靠性与稳定性,使其能够在各种复杂的电子系统中发挥重要作用。
型号:LQP03TN1N5B02D
封装:USP-6B
Vds(最大漏源电压):-30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):80mΩ
Id(持续漏极电流):-2.4A
Qg(栅极电荷):7nC
Vgs(th)(阈值电压):-0.8V to -1.4V
fT(截止频率):270MHz
工作温度范围:-55℃ to 150℃
LQP03TN1N5B02D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高转换效率。
2. 超紧凑的封装设计(USP-6B),非常适合便携式设备和其他空间有限的应用场景。
3. 高度稳定的电气性能,在宽泛的工作温度范围内表现一致。
4. 快速开关能力,能够有效支持高频应用需求。
5. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
6. 出色的热性能,即使在高电流条件下也能保持稳定运行。
7. 内置静电保护功能,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
这些特性使得 LQP03TN1N5B02D 成为众多电源管理和信号切换应用的理想选择。
LQP03TN1N5B02D 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的电源管理单元,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. 电池供电设备中的负载开关和电流控制电路。
3. 工业自动化设备中的信号隔离和保护电路。
4. LED 照明系统中的驱动器和调光控制器。
5. 可穿戴设备中的高效电源管理解决方案。
6. 通信设备中的 DC/DC 转换器和电源模块。
由于其出色的性能和紧凑的设计,LQP03TN1N5B02D 在现代电子产品的开发中得到了广泛应用。
LQP03TN1P8B02D
LQP03TN1N3B02D