时间：2025/5/15 12:48:54
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LQP03TN0N6B02D是一款由ROHM公司生产的超小型、低导通电阻的N沟道功率MOSFET芯片，采用USP-6B封装形式。该产品主要针对空间受限的应用场景设计，具备出色的散热性能和高效的开关特性，适用于各种便携式电子设备中的负载开关、电源管理以及保护电路等场合。
这款MOSFET具有非常低的导通电阻，从而减少功率损耗并提升整体效率。此外，其紧凑的封装形式使其非常适合对尺寸要求严格的现代电子产品。
型号：LQP03TN0N6B02D
制造商：ROHM
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：140mΩ（典型值，在VGS=10V时）
IDS（连续漏极电流）：2.6A
封装：USP-6B（超小型表面贴装）
工作温度范围：-55℃至+150℃
栅极电荷（Qg）：9nC（典型值）
1. 超低导通电阻：在特定的栅极驱动电压下，该MOSFET提供非常低的RDS(on)，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 小型化设计：采用USP-6B封装，尺寸仅为1.2mm x 1.6mm，适合于高密度PCB布局。
3. 高可靠性：通过优化的半导体制造工艺，确保了器件在宽温范围内稳定运行。
4. 快速开关能力：较小的栅极电荷允许更快的开关速度，进而减少开关损耗。
5. 环保材料：符合RoHS标准，使用无铅端子，满足绿色环保要求。
LQP03TN0N6B02D广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关控制，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
2. 开关电源（SMPS）及DC/DC转换器中的功率开关元件。
3. 过流保护和短路保护电路中的关键组件。
4. 各种电池供电设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化设备的小信号控制和驱动电路。
LQP03TN0N6B02D-S1
