M29W640GT-70NA6E是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的64 Mbit(8 MB)NOR型闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术,适用于需要高可靠性和持久数据存储的应用场景。该芯片的访问时间仅为70ns,适用于对读取速度有一定要求的嵌入式系统应用。M29W640GT-70NA6E采用56-TFSOP封装,工作温度范围为工业级标准-40°C至+85°C,使其适合在严苛的工业环境中使用。
存储容量:64 Mbit(8 MB)
存储器类型:NOR Flash
电压范围:2.5V至3.6V
访问时间:70ns
封装类型:56-TFSOP
工作温度:-40°C至+85°C
接口类型:并行(x8/x16)
读取电流:15mA(典型值)
待机电流:10mA(典型值)
编程/擦除电压:内部电荷泵生成
编程时间:100μs(典型)
擦除时间:1s(典型)
数据保持时间:大于10年
擦写次数:10万次以上
M29W640GT-70NA6E具备多项高性能特性,适用于各种嵌入式系统设计。首先,其70ns的快速访问时间使得它非常适合用于需要高速代码执行的应用,例如微控制器系统中的固件存储。该器件支持x8和x16两种数据总线宽度模式,增强了与不同主控芯片的兼容性和灵活性。
该芯片内置的电荷泵(Charge Pump)技术,使其在编程和擦除操作时无需外部高压电源,简化了电源设计,提高了系统的可靠性。此外,M29W640GT-70NA6E支持扇区擦除和批量擦除两种模式,用户可以灵活选择擦除范围,从而提高擦写效率并延长器件寿命。
为了提高系统的稳定性和数据完整性,M29W640GT-70NA6E还集成了多种保护机制,包括软件数据保护、硬件写保护引脚(WP#)以及断电保护功能,防止在电源不稳定或异常断电情况下发生数据损坏。该器件还支持自动休眠模式,以降低待机电流,适合对功耗敏感的应用场景。
该芯片具备高达10万次的擦写周期和10年以上的数据保持能力,确保了长期稳定运行。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种恶劣工作环境,如工业控制、汽车电子、通信设备等。
M29W640GT-70NA6E广泛应用于需要非易失性代码存储和数据存储的嵌入式系统。典型应用包括工业自动化控制系统中的固件存储、汽车电子模块(如ECU、仪表盘、导航系统)中的程序存储、通信设备(如路由器、交换机)的启动代码和配置存储、消费类电子产品(如智能家电、数码相机)中的引导存储器,以及测试测量设备中的固件和数据日志存储。其高速读取能力和宽温工作范围,也使其适合用于军工和航空航天等对可靠性要求较高的领域。
M29W640GB-70GA6E, M29W640GT-90NA6E, M29W128GL70ZA6E