时间：2025/12/27 10:05:23
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LQLBR2012T220M是一款由LQ（通常指中国台湾的LQM或类似品牌，但此处可能为特定厂商或系列标识）生产的片式铁氧体磁珠，属于表面贴装型滤波元件。该器件专用于高频电路中的噪声抑制，能够有效滤除电子设备中的电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。型号中的编码通常代表其关键参数：'2012'表示其封装尺寸为2.0mm × 1.25mm（即0805公制封装），'220M'表示其标称阻抗值为22.0Ω，测试频率为100MHz，后缀'M'可能表示允差等级或产品系列。该磁珠广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、数字逻辑电路等对空间和高频性能有较高要求的场合。
作为EMI滤波解决方案的一部分，LQLBR2012T220M通过在电源线或信号线上串联接入，利用其在高频下呈现高阻抗的特性，将不需要的高频噪声能量转化为热能消耗掉，而对直流或低频信号则呈现极低的电阻，从而保证主信号通路的完整性。其内部结构采用多层陶瓷工艺与铁氧体材料复合制造，具备良好的高频特性和温度稳定性，同时支持回流焊工艺，适用于自动化SMT贴装生产线。由于其小型化和高性能特点，特别适合现代高密度PCB布局设计。
产品类型：片式磁珠
封装尺寸：2012（2.0mm × 1.25mm）
标称阻抗（100MHz）：22.0Ω
阻抗允差：±20%
额定电流：1.0A
直流电阻（DCR）：最大0.35Ω
工作温度范围：-40℃ ~ +125℃
存储温度范围：-40℃ ~ +150℃
测试频率：100MHz
耐焊接热：符合IEC 60749-28标准
端电极：Ni/Sn镀层，适用于SMT工艺
LQLBR2012T220M磁珠的核心优势在于其优异的高频噪声抑制能力与低直流电阻之间的平衡。在100MHz测试频率下，其提供22.0Ω的标称阻抗，能够在不影响电源效率的前提下，有效衰减高频开关噪声、时钟谐波及其他数字电路产生的共模干扰。其最大直流电阻仅为0.35Ω，在1A额定电流条件下功耗极低，有助于减少系统温升并提高能效，特别适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦应用。
该器件采用多层片式结构，通过精密丝网印刷技术和高温共烧工艺制造，确保了内部线圈与铁氧体介质的高度集成与稳定性。这种结构不仅提升了单位体积内的感抗密度，还增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性。其-40℃至+125℃的工作温度范围使其能够在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围电路。此外，端电极为双层Ni/Sn金属化结构，具有良好的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊接工艺，符合RoHS环保要求。
磁珠的阻抗-频率特性曲线表现出典型的铁氧体材料响应：在低频段阻抗较低，随着频率上升，感抗和损耗逐渐增加，在数十MHz至GHz范围内形成有效的噪声吸收带宽。这种非理想电感行为使其区别于普通电感器，更适合用于宽带EMI滤波而非储能或谐振应用。LQLBR2012T220M的设计兼顾了插入损耗性能与电流承载能力，是高速数字接口、RF模块供电线路及ADC/DAC参考电源滤波的理想选择。
LQLBR2012T220M广泛应用于各类需要电磁干扰抑制的电子系统中。典型应用场景包括移动通信设备中的射频前端电源滤波，用于隔离PA、LNA或混频器模块之间的噪声串扰；在数字电路中，常被部署于微处理器、FPGA或ASIC的I/O供电引脚处，以消除高速切换引起的瞬态噪声；在便携式消费电子产品如TWS耳机、智能手表和蓝牙模块中，该磁珠用于音频线路或传感器信号路径的噪声净化，提升信噪比和系统灵敏度。
在电源管理领域，LQLBR2012T220M可用于DC-DC转换器输出端的二次滤波，配合去耦电容构成π型或T型滤波网络，显著降低开关电源引入的纹波和高频噪声。此外，在高速数据接口如USB、HDMI、MIPI等信号线路中，该磁珠可防止高频噪声沿电缆辐射，满足FCC、CE等电磁兼容认证要求。其小尺寸特性也使其适用于高密度PCB布局，尤其适合空间受限的紧凑型设计。在汽车电子中，可用于车载信息娱乐系统、摄像头模组或ADAS传感器模块的EMI防护，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
BLM21PG220SN1
DLW21SN220SQ5L
SRN3015TA-220M
