型号：LQLB2012T470K
　　封装尺寸：2012（公制）/0805（英制）
　　电容值：47pF
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较小值）
　　耐压能力：1.5倍额定电压，持续5秒无击穿或闪络
　　结构类型：多层陶瓷片式电容器（MLCC）
　　端电极材料：三层电极（Ni/Sn镀层），兼容无铅焊接
　　尺寸（长×宽×高）：2.0±0.2mm × 1.25±0.2mm × 1.25mm max

LQLB2012T470K采用先进的叠层陶瓷工艺制造，具有优异的电气性能与机械稳定性。其核心介质材料为X7R型陶瓷，具备在宽温度范围内保持电容值相对稳定的能力，在-55°C到+125°C之间电容变化不超过±15%，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场景。该电容器的47pF电容值配合K级精度（±10%），确保了在射频匹配网络、振荡电路和滤波器中提供精确且可重复的性能表现。由于其50V的额定直流电压，能够满足大多数低压模拟与数字电路的去耦需求，尤其适用于电源管理单元中的局部退耦。
　　该器件的2012小型封装设计极大提升了印刷电路板的空间利用率，支持高密度布板，特别适合便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。同时，其三层金属化端电极（内镍外锡）不仅增强了抗焊接热冲击能力，还保证了良好的焊点可靠性，避免因热应力导致裂纹或脱落。此外，该产品通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（H3TRB）、温度循环试验（TCT）和耐久性寿命评估，确保长期使用下的稳定性与安全性。
　　LQLB2012T470K还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，有利于提升高频响应能力，减少噪声干扰，在高速数字系统中有效抑制电源波动。其非极性结构使得安装无需区分方向，简化了SMT贴装流程。整体而言，这款MLCC结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

LQLB2012T470K广泛应用于各类需要稳定电容特性的电子设备中。在消费电子领域，它常用于手机、平板电脑、智能手表等产品的射频前端模块中，作为LC匹配网络的一部分，用于天线调谐或阻抗匹配，以优化信号传输效率并减少反射损耗。在电源管理系统中，该电容可用于DC-DC转换器的输入输出滤波，有效平滑电压纹波，提高电源质量。
　　在通信设备中，如Wi-Fi模块、蓝牙模组和无线收发器，LQLB2012T470K被广泛用作旁路电容，连接在芯片电源引脚与地之间，消除高频噪声，防止电源干扰影响信号完整性。此外，在时钟发生电路或PLL锁相环系统中，该电容可用于晶振负载电容配置，帮助维持稳定的振荡频率，确保系统时序准确。
　　工业控制与汽车电子领域也大量采用此类高可靠性MLCC。例如，在车载信息娱乐系统或ADAS辅助驾驶模块中，其宽温特性和耐久性保障了极端环境下的正常运行。另外，在医疗电子设备、测量仪器和嵌入式控制系统中，该电容因其稳定的电气参数而被用于精密模拟信号调理电路中，如运算放大器反馈网络或ADC/DAC接口滤波。
　　得益于其符合RoHS指令和无卤素要求，LQLB2012T470K也适用于出口型电子产品及绿色环保项目，支持全球市场的合规性认证。无论是批量生产还是原型开发，该器件都展现出良好的兼容性和一致性，是工程师进行高频、低噪声电路设计的理想选择。

CL21B470KBANNNC
　　GRM21BR71H470KA01L
　　C2012X7R1H470K