LN3C53 时间：2025/8/1 23:08:15 阅读：21

LN3C53 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和较高的开关速度，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理单元等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为3.8mΩ（典型值更低）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK等

特性

LN3C53 的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率；
　　该器件具有较高的耐流能力和良好的热稳定性，适用于高功率密度设计；
　　采用先进的沟槽技术，提供了优异的开关性能，适用于高频开关应用；
　　该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态电压条件下的可靠性；
　　其封装形式（如TO-220和D2PAK）便于散热和安装，适用于多种电路布局。

应用

LN3C53 常用于各类电源管理与功率控制电路中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路、电机驱动系统以及负载开关等；
　　该器件也可用于服务器电源、工业控制设备、汽车电子系统以及高性能计算设备中的功率转换模块；
　　其高可靠性和优异的导通性能使其在高效率、高功率密度要求的场合中表现尤为出色。