LQH4N181J04M00 和 LQH43MN181J01L 是由罗姆(ROHM)公司生产的 SiC(碳化硅) MOSFET 芯片。这些器件采用了先进的 SiC 技术,具有高效率、高速开关和耐高压的特性,适用于各种高性能功率转换应用。
这些型号的芯片主要面向工业设备和汽车电子领域,例如电动汽车的逆变器、充电桩、DC-DC 转换器以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
类型:SiC MOSFET
额定电压:1800V
额定电流:4A(LQH4N181J04M00)、3A(LQH43MN181J01L)
Rds(on)(导通电阻):75mΩ(典型值,25℃)
栅极阈值电压:2.8V~4.8V
工作温度范围:-55℃~175℃
封装形式:TO-247-3(或类似表面贴装封装)
这些 SiC MOSFET 具有以下特点:
1. 高耐压能力:1800V 的额定电压使得该器件能够承受更高的电压波动,并适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在同类产品中,其导通电阻非常低,可以有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度:由于 SiC 材料的特性,该器件拥有更快的开关速度,从而减少开关损耗并提高整体效率。
4. 宽禁带半导体:基于 SiC 的宽禁带技术,使得该器件能够在高温环境下稳定运行,同时具备更高的热稳定性。
5. 高可靠性:经过严格测试和验证,确保了其在恶劣条件下的长期可靠性。
LQH4N181J04M00 和 LQH43MN181J01L 主要应用于以下领域:
1. 工业电源:如不间断电源(UPS)、服务器电源等。
2. 新能源汽车:包括电机驱动逆变器、车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器。
3. 光伏逆变器:用于太阳能发电系统的高效能量转换。
4. 风能变流器:支持风力发电中的电能调节。
5. 快充设备:如大功率快充桩和其他需要快速充电的应用。
6. 其他高性能功率转换场景:例如轨道交通牵引系统、储能设备等。
LQH4N181J04M00:LQH4N181J03M00
LQH43MN181J01L:LQH4N181J03M00