时间：2025/6/28 13:14:24
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LQH4N181J04M00 和 LQH43MN181J01L 是由罗姆（ROHM）公司生产的 SiC（碳化硅） MOSFET 芯片。这些器件采用了先进的 SiC 技术，具有高效率、高速开关和耐高压的特性，适用于各种高性能功率转换应用。
这些型号的芯片主要面向工业设备和汽车电子领域，例如电动汽车的逆变器、充电桩、DC-DC 转换器以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
类型：SiC MOSFET
额定电压：1800V
额定电流：4A（LQH4N181J04M00）、3A（LQH43MN181J01L）
Rds(on)（导通电阻）：75mΩ（典型值，25℃）
栅极阈值电压：2.8V～4.8V
工作温度范围：-55℃～175℃
封装形式：TO-247-3（或类似表面贴装封装）
这些 SiC MOSFET 具有以下特点：
1. 高耐压能力：1800V 的额定电压使得该器件能够承受更高的电压波动，并适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在同类产品中，其导通电阻非常低，可以有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度：由于 SiC 材料的特性，该器件拥有更快的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体效率。
4. 宽禁带半导体：基于 SiC 的宽禁带技术，使得该器件能够在高温环境下稳定运行，同时具备更高的热稳定性。
5. 高可靠性：经过严格测试和验证，确保了其在恶劣条件下的长期可靠性。
LQH4N181J04M00 和 LQH43MN181J01L 主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如不间断电源（UPS）、服务器电源等。
2. 新能源汽车：包括电机驱动逆变器、车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器。
3. 光伏逆变器：用于太阳能发电系统的高效能量转换。
4. 风能变流器：支持风力发电中的电能调节。
5. 快充设备：如大功率快充桩和其他需要快速充电的应用。
6. 其他高性能功率转换场景：例如轨道交通牵引系统、储能设备等。
LQH4N181J04M00：LQH4N181J03M00
LQH43MN181J01L：LQH4N181J03M00
