时间：2025/7/10 4:15:26
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LQH4N122K 是一款 N 沱 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其耐压值为 120V，能够提供高效的功率传输和较低的功耗。
这款 MOSFET 在设计上注重提高系统效率和减少热量生成，非常适合于需要高性能和稳定性的电路环境。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：8nC
开关时间：典型值 t_on=24ns，t_off=16ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LQH4N122K 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，可以实现快速切换，适合高频应用。
3. 小型封装（TO-252），节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。
4. 极低的输入和输出电容，减少了开关时的能量损失。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的运行需求。
LQH4N122K 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理与保护系统
5. LED 驱动电路
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
其高效能表现使其成为许多功率敏感型应用的理想选择。
LQH4N120K, IRFZ44N, FDP5500
