时间：2025/4/28 19:40:53
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LQG15HSR22J02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 TO-263-3 封装形式。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电力转换的理想选择。
该芯片的工作电压范围较宽，能够在较高电压环境下稳定运行，同时具备良好的热性能和电气特性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.9mΩ（典型值，@ VGS=10V）
栅极电荷：86nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LQG15HSR22J02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 42A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并提升高频应用的表现。
4. 较高的工作电压（60V），适合多种中高压应用场景。
5. 具备优异的热稳定性，确保在极端温度条件下仍能保持可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
LQG15HSR22J02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器设计。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统及电机驱动模块。
5. 各类高功率密度的负载开关和保护电路。
6. 照明系统中的 LED 驱动器和调光控制器。
LQG15HVT22J02D, LQG15HSR22K02D
