时间：2025/7/2 10:26:12
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H27UBG8T2CTR-BC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，主要应用于存储设备中。该芯片采用先进的制程工艺，具有高密度、低功耗和高速读写性能的特点，适合用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及其他需要大容量非易失性存储的应用场景。
该型号属于 TLC（Triple-Level Cell）类型 NAND 闪存，能够在每个存储单元中保存 3 位数据，从而在相同的物理空间内提供更高的存储密度。这使得 H27UBG8T2CTR-BC 成为需要高性价比存储解决方案的理想选择。
容量：512Gb（64GB）
类型：NAND Flash
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高可达 400MT/s
擦写寿命：约 1000 次（TLC 特性）
工作温度范围：0°C 至 85°C
存储温度范围：-40°C 至 105°C
H27UBG8T2CTR-BC 具有以下显著特性：
1. 高存储密度：单颗芯片提供 512Gb 的存储容量，适用于大容量存储应用。
2. 快速数据传输：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，能够实现高达 400MT/s 的数据传输速率。
3. 节能设计：优化的电路设计使其在运行时消耗更低的功率，有助于延长电池驱动设备的续航时间。
4. 可靠性：即使在 TLC 类型下，其擦写寿命仍然达到约 1000 次，能够满足大多数消费级和工业级应用场景的需求。
5. 广泛的工作温度范围：能够在 0°C 至 85°C 的环境中稳定工作，并且可以在 -40°C 至 105°C 的范围内安全存储数据。
H27UBG8T2CTR-BC 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储介质，广泛应用于消费级和企业级 SSD 中。
2. 嵌入式系统：用于嵌入式设备中的存储模块，例如汽车电子、工业控制设备等。
3. 移动设备：为智能手机、平板电脑和其他便携式设备提供大容量存储支持。
4. 数据记录设备：如行车记录仪、监控摄像头等需要长期可靠存储的设备。
5. 存储卡：可集成到 microSD 卡或 USB 闪存盘中，提供高性能的移动存储解决方案。
H27UBG8T2BTR-BC, H27UBG8T2ATR-BC
