时间：2025/8/2 5:17:30
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DMN3009LFVW-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于负载开关、电源管理和电池供电设备等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其封装形式为 SOT26（SOT-26），适合在空间受限的设计中使用。DMN3009LFVW-13 专为低电压和低电流应用优化，具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-600mA
导通电阻（RDS(on)）：150mΩ @ VGS = -10V；220mΩ @ VGS = -4.5V；300mΩ @ VGS = -2.7V
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT26
DMN3009LFVW-13 具备多项优异特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在不同栅源电压下均保持较低水平，确保了在高电流条件下也能实现低功耗运行。该器件的栅极电荷（Qg）较小，有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用。
其次，DMN3009LFVW-13 的封装形式为 SOT26，属于小型表面贴装封装，节省 PCB 空间，适合便携式电子设备和高密度电路设计。该封装还具备良好的散热性能，可在较高环境温度下稳定运行。
此外，该 MOSFET 支持宽范围的栅极电压驱动，兼容 3.3V 和 5V 逻辑电平，适用于多种控制电路。其内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要快速反向恢复的场合。
DMN3009LFVW-13 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其制造工艺符合 RoHS 环保标准，不含铅和其他有害物质，适合环保要求较高的应用场景。
DMN3009LFVW-13 主要应用于低电压、低电流的电源管理系统中。常见用途包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电压调节器、电源管理单元（PMU）以及便携式电子设备中的电源控制电路。由于其具备低导通电阻和良好的热稳定性，该器件在手持设备、智能穿戴设备、无线耳机、移动电源和小型家电中得到了广泛应用。
在消费类电子产品中，DMN3009LFVW-13 常用于实现电源隔离、电池反向保护、低功耗待机模式切换等功能。此外，它也可用于汽车电子中的低功耗控制模块、传感器电源管理以及 LED 驱动电路。由于其封装小巧且易于焊接，DMN3009LFVW-13 也常用于需要表面贴装工艺（SMT）的自动化生产线上。
Si4435BDY-T1-GE3, AO4403, FDC6303, NTR4101P
