时间：2025/6/20 23:45:03
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LQG15HSR12J02D 是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 系列。该芯片主要应用于高效率、低损耗的电力电子系统中，例如开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器和电池管理系统等。其优异的导通电阻和快速开关性能使其在各类工业及消费类电子产品中得到了广泛应用。
该器件采用了先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时，也具备良好的热稳定性和耐受能力。此外，其封装设计紧凑，适合于对空间要求较高的应用场合。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：60V
额定电流：48A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：37nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-263-3L
LQG15HSR12J02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.2mΩ，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg=37nC），使得器件在高频应用中表现优异。
3. 高额定电流（48A），适用于大功率负载控制场景。
4. 宽温度范围支持（-55°C 至 +175°C），保证了在极端环境下的可靠运行。
5. 封装为 TO-263-3L，具有良好的散热性能和电气连接稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅设计。
以上特性使得 LQG15HSR12J02D 成为高性能功率转换应用的理想选择。
LQG15HSR12J02D 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. 电池保护与管理模块
4. DC-DC 转换器
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 汽车电子系统的功率管理
7. 各类家用电器中的高效能电源解决方案
凭借其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在各种需要高效率、低损耗的功率处理场合中表现出色。
LQG15HSR12J01D, IRFZ44N, FDP55N06L
