时间：2025/4/30 17:50:19
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LQG15HS68NG02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的高效、低导通电阻的 N 沟道逻辑 级 MOSFET。这款芯片主要用于需要高速开关和低功耗的应用场景，其出色的性能使其在消费电子、工业控制以及通信设备中得到广泛应用。
该器件采用了先进的半导体工艺，确保了极低的导通电阻和高开关速度，同时具备优异的热稳定性和可靠性。
型号：LQG15HS68NG02D
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
漏源极击穿电压(Vds)：60V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.9A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ (典型值，在 Vgs=4.5V 时)
总功耗(Ptot)：450mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LQG15HS68NG02D 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，满足现代电子设备对速度的要求。
3. 小型化封装（SOT-23），节省PCB空间，适合便携式和紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下依然具有可靠的性能。
5. 内置静电保护功能，增强了芯片的抗干扰能力和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
LQG15HS68NG02D 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. LED 驱动电路的开关元件。
4. 工业自动化设备中的信号切换。
5. 通信设备中的小型化功率控制模块。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理单元。
LQG15HS68NG02DTR, LQG15HS68NG02DL
