时间：2025/6/16 17:11:49
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LQG15HS33NJ02D是罗姆（ROHM）公司生产的一款低导通电阻、小型封装的N沟道功率MOSFET。这款器件主要面向需要高效率和紧凑设计的应用场景，例如开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路。该芯片采用了LFPAK封装形式，能够提供卓越的散热性能和电气特性，同时具备出色的耐用性和可靠性。
型号：LQG15HS33NJ02D
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：2.6mΩ (在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：45nC
总功耗(Ptot)：228W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装形式：LFPAK56D (Power-SO8)
LQG15HS33NJ02D具有超低导通电阻和快速开关速度的特点，这使得它非常适合用于高频开关应用中。此外，其优化的热性能允许更大的功率密度，而不会显著增加温升问题。
由于其耐高温能力，这款MOSFET可以在恶劣环境下稳定运行，并且支持高效的能量转换。另外，它的超薄外形也使其成为对空间有限制要求的设计的理想选择。
该产品广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域。具体应用包括但不限于：
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代
- 负载开关以实现快速启停和过流保护
- 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制
- 各类小型电机驱动电路
LQG15HS33MJ02D
LQG15HS33PJ02D
